喜报！格晶半导体斩获多项第三代半导体产业年度大奖

喜讯！2025行家极光奖各大榜单正式出炉。热烈祝贺我司同时斩获三项大奖：《中国GaN器件十强企业》《第三代半导体年度成长企业》《年度优秀产品奖》！

梦想照进现实，辉煌成就未来；恭喜格晶半导体获得年度行业大奖。

12月4日晚，以“聚力·破局·领航！”为主题的“2025行家极光奖”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕，数百家SiC&GaN企业代表联袂而来，共同见证第三代半导体产业的新风采、新进步。

经过数月时间的紧密筹划，专家组委会和众多行业人士投票评选，2025行家极光奖各大榜单正式出炉。本届行家极光奖特别设立了【十强/影响力企业】、【年度企业】、【年度优秀产品】三大奖项，力图成为第三代半导体行业树立标杆，提升企业品牌认知度和影响力，为行业发展注入创新力与推动力。我司受邀参加此次会议，同时斩获三项大奖：

《中国GaN器件十强企业》《第三代半导体年度成长企业》《年度优秀产品奖》。

1、申报产品介绍：蓝宝石基超薄GaN HEMT外延片

我司所推出的蓝宝石基超薄GaN HEMT 外延片，具有高晶体质量、高迁移率、超高耐压的特点，相比市场常规结构其buffer层更薄，缺陷更低，大幅降低外延材料对器件动态电阻的影响。西安电子科技大学芜湖研究院芯片及电子检测中心检测（CNAS资质）显示该产品的极限耐压超8000V。

GaN结晶质量002/102 达到80、350弧秒，方阻一致性1%以内，迁移率1800cm2/V.s，材料击穿电压高达8000V@500nm。江西万年晶半导体批量采购1万片以上，北京大学、西安电子科技大学、 中电科38所、中科院半导体所等科研院所都形成了批量销售。

2、中国GaN器件十强企业

获得本年度“中国GaN器件十强企业”奖项的企业是国产氮化镓创新与商业化应用的先锋队伍。我司重点开展高频高速、高能效GaN器件与驱动IC的开发、应用场景拓展及产业化推进工作，致力推动氮化镓在驱动快充、射频、数据中心等新兴市场技术变革与渗透率提升。

3、第三代半导体年度成长企业

获得本年度“第三代半导体年度成长企业奖”的企业是第三代半导体产业中极具发展潜力的新生力量和成长先锋。我司在技术创新、产能提升和市场拓展等方面展现出强劲的增长势头与突破潜力，持续推动国内外氮化镓应用在各领域快速崛起，持续进取并积极推动行业未来发展。

4、年度优秀产品

“年度优秀产品”聚焦国内SiC&GaN企业的多项研发成果，涉及产业链上下游各个领域，是我国半导体产业的重要基础。我司推出的【蓝宝石基超薄GaN HEMT外延片】产品击穿电压高达8000V，代表了氮化镓高耐压、高可靠性、低成本的发展趋势，目前已开发出1700V超高耐压产品，填补了国内外的空白。